Die Messung schnell veränderlicher Ströme in SiC/GaN-Leistungselektronik ist anspruchsvoll: Stromänderungen von mehreren hundert Ampere innerhalb weniger Nanosekunden erfordern Sensoren mit hoher Bandbreite, geringer parasitärer Induktivität und kompakter Bauform – Anforderungen, die konventionelle Shunts, Rogowski-Spulen und Hall-Sensoren nicht gleichzeitig erfüllen. Der M-Shunt löst dieses Problem mithilfe eines koaxialen Shunt-Widerstandskonzepts, bei dem der Messpfad durch das Zentrum eines zylindrischen Leiters verläuft. Gemäß dem Ampereschen Gesetz wird die Messung dadurch gegen externe Magnetfelder abgeschirmt und erfasst ausschließlich den tatsächlichen Spannungsabfall, frei von Störungen durch den Schaltkreis. Die an der Universität Bremen entwickelte Realisierung integriert dieses Prinzip in eine kompakte, oberflächenmontierbare PCB-Struktur, die beim Einbau in Leistungsmodule oder Testaufbauten nur vernachlässigbare zusätzliche parasitäre Induktivität einbringt. Durch die Kombination aus hoher Bandbreite, geringer Einfüge-Induktivität, hoher Strombelastbarkeit und EMV-Stabilität ermöglicht der M-Shunt Anwendungen wie Double-Pulse-Tests, Strommessung innerhalb von Modulen sowie die Erkennung von Stromasymmetrien im Kelvin-Source-Pfad von Multi-Chip-Modulen – Aufgaben, die mit bestehenden Sensoren bei vergleichbarer Bandbreite und Baugröße nicht lösbar sind.