■ Ideal für Schaltnetzteile und GaN /
   SiC- High-Side-VGS-Messungen

■ Höchste Bandbreite >1,5GHz,
    <300ps Anstiegszeit

■ Stabil über großen Temperaturbereich

■ >180dB CMRR von DC bis 500kHz,
   80dB bei 1GHz

■ ± 60kV Gleichtaktspannung

■ Ideal für Schaltnetzteile und GaN /
   SiC- Leistungsbauelemente

■ ±200V, ±400V, ±1000V to ±2000V    Modelle

■ Je mit vier umschaltbaren
    Eingangsteilern

■ 400MHz / 500MHz Bandbreite

■ Bis zu 7m Kabellänge für weit entfernte
   Testpunkte

■ Bandbreiten von 0,004Hz bis
   >60MHz

■ Stromstärken von mA bis 25 kA
■ Extrem niedrige Dachschräge, Hohe
   I-t Fähigkeit

■ Sehr hohe DC Sättigungsströme